三星128GB单条 DDR4内存开始量产 竟然是3D的
时间：2015-11-14 16:34:37 魔新豆网
2014年8月底，三星电子宣布量产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条，单条容量高达64GB。一年多后，三星将这一容量翻了一番，开始量产128GB TSV DDR4内存条。
新内存依然是面向企业级服务器市场的RDIMM类型条子，使用了多达144颗DDR4内芯片，每一颗容量8Gb(1GB)，然后每四颗芯片利用TSV技术紧密封装在一起，总计36个组，分布在内存条两侧。
制造工艺是三星最先进的20nm，起步频率2400MHz，接下来将逐步提升到2667MHz、3200MHz。
另外，三星还会把TSV硅穿孔技术应用到HBM高带宽内存中。
本文标签：
读过此篇文章的网友还读过：
- 免费提速B75主板内存超频50%的B75内存超频教程
- 2020年8月份发布的新款手机，三星Note20系列、红米K30 Ultra配置高
- 联想骁龙835版win10笔记本跑分曝光 4GB内存超过4000
- i7 6700K/GTX 1080和64GB内存的梦幻电脑体验评测
- 笔记本怎么选择合适的内存并加内存?
- 笔记本升级内存出现蓝屏重启的故障的解决方法
- 笔记本怎样选择内存和硬盘 笔记本内存和硬盘选购介绍
- 如何装配一台带傲腾黑科技的主机?一套装配傲腾内存主机推荐
- 首款内置Bixby平板 三星Galaxy Tab S5e详细图文评测
- 三星Galaxy Tab S2性能怎么样？Galaxy Tab S2真机测评
- 三星GalaxyNote10.1设置中国移动GPRS上网教程
- 三星Galaxy Tab Pro和Note Pro真机曝光 Galaxy Tab和Galaxy Note 12.2平板图赏